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铭芯启睿完成1T4R 1Gb RRAM芯片流片

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AI 综述

铭芯启睿(MemSilicon)2026年10月12日宣布,完成基于1TnR技术路线的首代高密度大容量RRAM芯片“泰山一号(MountTai 2026)”流片,容量为1Gb,目前正在推进验证。 该芯片采用1T4R(1管n阻)技术路线,是公司首代高密度、大容量RRAM产品,流片完成意味着已进入验证阶段,报道未披露验证结果或量产时间。

AI 根据报道生成 · 54 分钟前更新

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10月14日
  1. 量子位精选
    铭芯启睿MemSilicon完成1T4R 1Gb RRAM芯片泰山一号流片

    2026年10月12日,铭芯启睿(MemSilicon)宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度大容量RRAM芯片泰山一号(MountTai 2026)流片,目前正推进验证。

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