铭芯启睿完成1T4R 1Gb RRAM芯片流片
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铭芯启睿完成1T4R 1Gb RRAM芯片流片
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AI 综述
铭芯启睿(MemSilicon)2026年10月12日宣布,完成基于1TnR技术路线的首代高密度大容量RRAM芯片“泰山一号(MountTai 2026)”流片,容量为1Gb,目前正在推进验证。 该芯片采用1T4R(1管n阻)技术路线,是公司首代高密度、大容量RRAM产品,流片完成意味着已进入验证阶段,报道未披露验证结果或量产时间。
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最新进展10月14日 14:24
铭芯启睿MemSilicon完成1T4R 1Gb RRAM芯片泰山一号流片报道时间线
沿着报道,了解事件的不同侧面。
10月14日
- 量子位精选铭芯启睿MemSilicon完成1T4R 1Gb RRAM芯片泰山一号流片
2026年10月12日,铭芯启睿(MemSilicon)宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度大容量RRAM芯片泰山一号(MountTai 2026)流片,目前正推进验证。
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