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铭芯启睿MemSilicon完成1T4R 1Gb RRAM芯片泰山一号流片
MemSilicon完成国际首款高密度、大容量1T4R 1Gb RRAM芯片流片
AI 导读
2026年10月12日，铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度大容量RRAM芯片泰山一号（MountTai 2026）流片，目前正推进验证。
推荐理由
原文给出了28nm工艺、1T4R结构、30Mb/mm²密度等关键参数，便于评估RRAM在大容量片上存储的落地进度。
来源：量子位 · qbitai.com