复旦团队实现室温单电子非易失存储
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复旦团队实现室温单电子非易失存储
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AI 综述
复旦大学研究团队在《科学》发表成果，利用二维材料原子级厚度与自对准平面裁剪方案构建共面漏极-沟道-源极“归壹”结构，首次在室温下观测到单电子非易失性存储行为，实现“一电子、一比特”电荷存储。 器件栅长约20纳米，27℃下阈值电压随单电子进出呈约0.5伏阶梯式跃迁，单电子状态在5000秒直接测量中保持稳定；仿真显示边缘寄生电容占比约2.4%。 团队已在8英寸和12英寸CMOS晶圆的二维材料异质集成方面积累工艺基础，计划近期成立初创公司优先推出验证芯片；研究人员预计，若公司孵化与后续工程验证顺利，相关技术有望在未来3至5年进入转化落地阶段。
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最新进展10月10日 12:00
复旦团队在《科学》发表室温单电子非易失存储器件报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月10日
- 嵌入式微处理器精选复旦团队在《科学》发表室温单电子非易失存储器件
复旦大学研究团队在《科学》发表成果，利用二维材料原子级厚度与自对准平面裁剪方案，构建共面漏极-沟道-源极归壹结构，首次在室温下观测到单电子非易失性存储行为。器件栅长约20纳米，27℃下阈值电压随单电子进出呈现约0.5伏阶梯式跃迁，单电子状态在5000秒直接测量中保持稳定；仿真显示边缘寄生电容占比压到约2.4%。
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