复旦团队在《科学》发表室温单电子非易失存储器件

复旦大学研究团队在《科学》发表成果，利用二维材料原子级厚度与自对准平面裁剪方案，构建共面漏极-沟道-源极归壹结构，首次在室温下观测到单电子非易失性存储行为。器件栅长约20纳米，27℃下阈值电压随单电子进出呈现约0.5伏阶梯式跃迁，单电子状态在5000秒直接测量中保持稳定；仿真显示边缘寄生电容占比压到约2.4%。