瑞萨推出搭载MRAM的RX74M/RX74N旗舰MCU

瑞萨推出RX74M和RX74N旗舰32位MCU，为RX系列首款基于22纳米工艺并搭载MRAM的产品。其中RX74M在单一设备中集成了EtherCAT、支持TSN的千兆以太网和CAN FD等主流工业网络。 与传统嵌入式Flash不同，MRAM无需先执行擦除操作即可写入数据。据文中介绍，MRAM基于磁性隧道结MTJ和隧道磁阻效应TMR存储数据，读写速度可达纳秒级、擦写寿命超过10¹⁵次、数据保留可超15年。

AI 根据报道生成 · 1 小时前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。