中科半导体量产CT1906H GaN驱动芯片

中科半导体推出全新量产的CT1906H单片集成GaN三相功率驱动芯片，采用5×5mm LGA封装，面向外径14–45mm的微型伺服关节，单颗芯片内集成6路GaN半桥功率管与3通道独立栅极驱动，不再需要外挂驱动芯片。 据CTUnite平台实测，48V供电、芯片结温64℃条件下，该芯片可持续输出13.65A、对应功率655W；在30×30mm驱动板、无外置散热片、密闭模拟工况下，48V供电、结温73℃时可持续输出392W。报道同时提到，芯片的最终实力仍需大批量装机与长期工况老化测试进一步验证。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。