嵌入式微处理器· EDN电子技术设计·· 14 天前精选AI 评分57
中科院半导体所与港大在《Science》发表铁电隧穿结存储器件成果
存储芯片原子层滑动，电阻差1900万倍，狂写千亿次不坏？
AI 导读
中国科学院半导体研究所团队与香港大学团队合作在《Science》发表铁电隧穿结存储器件成果，采用氮化硼势垒层、3R堆叠硫化钼滑移铁电层和单层石墨烯电极，使极化同时调节隧穿势垒高度与参与隧穿的电子数量。
推荐理由
原文拆解了器件结构与双机制协同放大的原理，读者可据此理解读出对比度与耐久性为何此前互相制约。
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