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嵌入式微处理器· EDN电子技术设计·· 4 小时前精选AI 评分55

UIUC团队在薄膜铌酸锂上实现光子存储突破1微秒

让飞驰的光停下脚步,光子存储首次突破1微秒

AI 导读

美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校团队研制出片上光存储器件,将光子在芯片上的存储时间拉长到1微秒以上,成果发表于《纳米快报》。

推荐理由

原文给出了存储时长与读取效率的具体数据,并用光纤方案的对比说明了差距所在。

来源:嵌入式微处理器 · mp.weixin.qq.com