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Renesas 推出双面散热 650V GaN FET，面向 800V 数据中心
Renesas Debuts Dual-Side-Cooled 650V GaN FET for 800V Data Centers
AI 导读
Renesas 推出双面散热的 650V GaN FET，采用 8x8 mm 紧凑封装，可从两侧散热，导通电阻为 20 mΩ，面向 800V AI 机架架构中功率密集的转换级。
推荐理由
原文给出封装尺寸、导通电阻和目标应用，供评估 800V AI 机架电源方案的工程师参考。
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